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A causa della grave carenza di approvvigionamento globale, i due principali produttori cinesi di chip di memoria, Changxin Memory e Yangtze Memory, hanno avviato il piano di espansione più grande nella storia, cercando di ridurre il divario con i leader internazionali come Samsung e SK Hynix.

Come il più grande produttore di DRAM in Cina, Changxin Memory sta costruendo una nuova fabbrica a Shanghai, con una capacità aggiuntiva che raggiungerà da due a tre volte quella della sua base di Hefei. La fabbrica prevede di avviare l'installazione delle attrezzature nella seconda metà del 2026 e di entrare in produzione ufficialmente nel 2027, con prodotti che coprono server, PC, elettronica automobilistica e altri settori. Inoltre, l'azienda sta ampliando la linea di produzione HBM a Shanghai, mirando alla domanda di potenza di calcolo dell'IA.

Fonti informate indicano che le due fabbriche di Changxin Memory a Hefei e Pechino sono già in piena operatività, "la domanda delle imprese locali è estremamente forte, l'azienda spera di espandere rapidamente la capacità produttiva."

Il principale produttore di NAND cinese Yangtze Memory sta anche costruendo la sua terza fabbrica a Wuhan, con l'obiettivo di entrare in produzione nel 2027.

Si è appreso che Yangtze Memory ha già chiarito la pianificazione della capacità della nuova fabbrica, oltre a produrre NAND, il 50% della capacità sarà utilizzato per la produzione di DRAM; inoltre collaborerà con le aziende locali di imballaggio della memoria per sviluppare e produrre HBM per scenari di calcolo dell'intelligenza artificiale.

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