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Debido a la grave escasez global de suministros, los dos principales fabricantes de chips de memoria de China, Changxin Storage y Yangtze Memory Technologies, han iniciado el mayor plan de expansión en la historia, con el objetivo de reducir la brecha con líderes internacionales como Samsung y SK Hynix.

Como el mayor fabricante de DRAM de China, Changxin Storage está construyendo una nueva fábrica en Shanghái, con una capacidad adicional que alcanzará de dos a tres veces la de su sede en Hefei. La fábrica tiene previsto iniciar la instalación de equipos en la segunda mitad de 2026 y comenzar la producción formal en 2027, con productos que cubrirán áreas como servidores, PC y electrónica automotriz. Al mismo tiempo, la empresa también está ampliando su línea de producción de HBM en Shanghái, apuntando a la demanda de potencia de cálculo de IA.

Fuentes informadas indican que las dos fábricas de Changxin Storage en Hefei y Pekín ya están funcionando a plena capacidad, “la demanda de las empresas locales es extremadamente fuerte, la compañía espera expandir la producción lo antes posible.”

El principal fabricante de NAND de China, Yangtze Memory Technologies, también está construyendo una tercera fábrica en Wuhan, con planes para iniciar la producción en 2027.

Se ha revelado que Yangtze Memory Technologies ha definido claramente la planificación de capacidad de la nueva fábrica; además de la producción de NAND, el 50% de la capacidad se utilizará para la fabricación de DRAM; al mismo tiempo, también colaborará con empresas locales de empaque de memoria para investigar y producir HBM para escenarios de cálculo de inteligencia artificial.

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