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¡Corea del Sur está aplastando absolutamente en el juego de los chips una vez más! 🔥🇰🇷
Samsung & SK Hynix están lanzando una actualización de nivel nuclear: Flash de Alta Banda Ancha (HBF), ya apodada en los laboratorios como AI NAND en esteroides! 🚀
Bloomberg se volvió viral con la primicia: toda la escena de semiconductores coreana está zumbando sobre HBF — ¡la memoria que toma la enorme capacidad barata de NAND y la golpea con un ancho de banda loco de nivel HBM! 🔥
SK Hynix ya desató la familia AIN + arquitectura H³ — HBM híbrido + HBF sentado justo en el interposer al lado de la GPU!
Eso significa que los cuellos de botella de caché KV desaparecen, la inferencia en gigantes LLM se vuelve increíblemente rápida, y el rendimiento por vatio salta hasta 2.69× mejor! 😱💥
Samsung tampoco está durmiendo — empujando su tecnología V-NAND al límite, compitiendo para ponerse al día y ya preparando la producción en masa.
Muestras de ingeniería 2026 → producción en masa completa 2027. ¡Quien gane esta carrera se convierte en el rey indiscutible de la memoria AI de próxima generación! 👑
La explosión global de AI no solo quiere más memoria — ¡exige memoria más rápida, más barata y sin fin!
Corea está gritando de vuelta: “¡Sostén mi soju — ¡esto lo tenemos!” 🇰🇷→🌍
Esta no es solo otra generación de chips.
Este es el amanecer de una era completamente nueva para el almacenamiento de datos de IA — entrenamiento más rápido, inferencia más barata, facturas de energía más bajas para cada hyperscaler y dispositivo de borde en el planeta.
¿Quién más está perdiendo la cabeza por Corea avanzando de nuevo? ¡Deja tu reacción en los comentarios! 🔥🚀
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